降低的闪变噪声的晶体管布局
实质审查的生效
摘要
一种晶体管包括：扩散区，包括漏极、源极、以及在漏极与源极之间的沟道；围绕扩散区的隔离区，以用于电隔离晶体管；以及栅极多晶硅，与沟道的至少一部分重叠，其中，扩散区沿沟道宽度方向横向延伸超过栅极多晶硅。
基本信息
专利标题 ：
降低的闪变噪声的晶体管布局
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497221A
申请号 ：
CN202111344327.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹学舟田世瑶米凯琳娜·翁
申请人 ：
X-FAB全球服务有限公司
申请人地址 ：
德国艾尔福特
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202111344327.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06 H01L27/146
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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