半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构，包括：基底；第一支撑层，电容接触结构，形成于基底内，第一支撑层内形成有电容孔，电容接触结构延伸至第一支撑层内的部分与第一支撑层之间具有间隙；下电极层，包括主体部及延伸部；延伸部填充于间隙内，不仅下电极层的主体部接触电容接触结构，同时下电极层的延伸部接触电容接触结构靠近第一支撑层的侧面，使得下电极层与电容接触结构之间的接触面积增大，因此降低了接触电阻，同时主体部与延伸部共同组成下电极层使得下电极层呈嵌入第一支撑层与电容接触结构之间的状态，增加了下电极层的稳定性，能够在一定程度上防止电容侧倾或产生剥落缺陷，有利于动态存储器进一步缩小半导体元件的尺寸大小。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922118391.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211017076U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
鲍锡飞
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
黄丽
优先权 ：
CN201922118391.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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