半导体结构
授权
摘要
本公开提供一种半导体结构，包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上；多个凹槽，位于所述第一介质层中，所述凹槽的顶部尺寸大于所述凹槽的底部尺寸；第二介质层，位于所述凹槽的侧壁上；导电插塞，位于所述凹槽中。本公开的半导体结构可以改善形成导电插塞的导电材料的填充效果及其电学性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922177507.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN210926004U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
周震
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922177507.5
主分类号 ：
H01L23/535
IPC分类号 ：
H01L23/535 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/535
包括内部互连的，例如穿交结构
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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