半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构，包括：介电层；导线层，位于介电层内，导线层包括第一导电部及第二导电部，第二导电部位于第一导电部的下方，且与第一导电部电连接；低介电常数材料层，位于相邻第一导电部之间。使得相邻两导线层之间的寄生电容减小，半导体结构的制作工艺易于操作与控制，因此能够准确的控制工艺过程，达到有效减小半导体结构中同层相邻铜线之间的寄生电容的效果，提升器件的可靠性和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922376860.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210984722U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
李佳龙王蒙蒙
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922376860.6
主分类号 ：
H01L23/535
IPC分类号 ：
H01L23/535 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/535
包括内部互连的，例如穿交结构
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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