半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构，包括：基底，基底内形成有若干个间隔排布的有源区；若干个平行间隔排布的栅极结构，位于基底内；位线接触结构，位于基底内；绝缘衬垫层，位于基底内，且位于位线接触结构与栅极结构之间，以将位线接触结构与栅极结构绝缘隔离。使得位线接触结构与栅极结构之间被绝缘衬垫层隔开，两者即使存在交错的部分也不易出现短路或者产生较高的寄生电容，因此位线接触结构能够向有源区深处延伸，而栅极结构内的导电结构能够向有源区上表面延伸，绝缘衬垫层在隔开栅极结构和位线接触结构的同时也隔开了横跨同一有源区的相邻栅极结构，减小了相邻栅极结构的相互影响，减轻存储器产生漏洞的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922154132.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN211017081U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201922154132.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336 H01L23/535
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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