半导体结构

授权

摘要

本公开提供一种半导体结构。结构包括：衬底；第一电容层，位于衬底上，包括多个第一电容；第二位线层，位于第一电容层上方，包括多条平行设置的第二位线；字线层，位于第二位线层的上方，包括平行设置的多条字线；第一位线层，位于字线层上方，包括多条平行设置的第一位线；第二电容层，位于第一位线层上方，包括多个第二电容；垂直于第二位线层、字线层、第一位线层的多个第一硅柱和第二硅柱，其中：每个第一硅柱的第一掺杂区电连接一个第一电容且第二掺杂区电连接一条第一位线；每个第二硅柱的第一掺杂区电连接一个第二电容且第二掺杂区电连接一条第二位线；多条字线包裹第一硅柱和/或第二硅柱的中部。本公开实施例具有较高的元件密度。

基本信息

专利标题：

半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922132862.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-29

授权号：

CN210640252U

授权日：

2020-05-29

发明人：

刘忠明白世杰

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

孙宝海

优先权：

CN201922132862.0

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108