半导体结构
公开
摘要
本发明公开一种半导体结构，以混合键合方式键合上、下配置的两半导体晶片，两半导体晶片各自具有不连续的多段金属迹线或者螺旋线圈状的金属迹线，借由两半导体晶片混合键合，使得不连续的多段金属迹线键合在一起而形成具有连续且非相交路径的电感元件，或者两螺旋线圈状的金属迹线键合在一起而构成电感元件。在此半导体结构中，以混合键合所形成的电感元件具有电感值容易受到调整的优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628370A
申请号 ：
CN202011457034.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖建铭陈慧玲盛志瑞
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011457034.5
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L23/522 H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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