半导体结构
授权
摘要
本实用新型提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC delay)。此外，两个倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在两个倒L型的接触结构之间的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021151399.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN212182320U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
方晓培黄永泰游馨郭东龙夏勇
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202021151399.0
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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