半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层，设置于半导体衬底上；栅极，设置于栅极绝缘层背离半导体衬底的一侧，且栅极在半导体衬底上的正投影位于深掺杂阱以外；介电层，设置于半导体衬底上；第一探针垫，设置于介电层背离半导体衬底的一侧，第一探针垫在半导体衬底上的的正投影位于深掺杂阱内；导线，连接于第一探针垫与栅极之间。该半导体结构可以被准确、方便的测量栅极与半导体衬底之间的电容。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922132369.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640254U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
肖瑟
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201922132369.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/64 H01L21/265 G01R31/26 G01R27/26
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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