半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体结构，包括：第一基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该第一基板上；以及多端子多电容结构，设置于该第一基板上，该多端子多电容结构包括：第二基板；绝缘层，设置于该第二基板上方；第一多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第一半导体晶粒；以及第二多端子电容器，设置在该绝缘层上方并通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器与该第二基板电隔离。本发明可以减少电容器所占用的空间，并且可以增加基板上保留的导电结构。因此本发明可以增加设计灵活性，并且可以更容易地设计。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496978A
申请号 ：
CN202111034193.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段志刚陈京好
申请人 ：
联发科技(新加坡)私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡启汇城大道一号索拉斯大厦三楼之一
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何倚雯
优先权 ：
CN202111034193.9
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210903
申请日 : 20210903
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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