半导体结构
授权
摘要
本申请公开了一种半导体结构，该半导体结构用于形成多个器件和测试结构，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；体区，为第一掺杂类型，位于外延层上；沟槽，由体区表面延伸至外延层内；隔离层，至少覆盖沟槽的部分表面；以及掺杂区，填充在沟槽内，掺杂区与外延层为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，其中，在测试结构中，沟槽在体区内限定出体区岛，掺杂区和外延层被隔离层分隔以形成第一电容，掺杂区与体区岛被隔离层分隔以形成第二电容。该测试方法可以在同一半导体结构中检测测试结构的电学参数以估计半导体结构的工艺质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920400361.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-27
授权号 ：
CN209981209U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
周源张小麟李静怡王超张志文朱林迪牛玉玮郭艳华
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201920400361.3
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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