垂直结构LED芯片及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，其中，LED芯片中包括：支撑衬底；设于支撑衬底表面的键合金属层；设于键合金属层表面的反射金属层；设于反射金属层表面的用于制备电流阻挡层的阻挡层区域及用于制备p电极的电极区域；设于阻挡层区域和电极区域表面的外延结构；设于外延结构表面的n电极，n电极与阻挡层区域于垂直方向上相对设置，且n电极的边界不超过阻挡区域的边界；及设于外延结构表面除n电极区域及侧壁的钝化层，其制作工艺简单，出光效率高。
基本信息
专利标题 ：
垂直结构LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109768137A
申请号 ：
CN201811636723.5
公开（公告）日 ：
2019-05-17
申请日 ：
2018-12-29
授权号 ：
CN109768137B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
封波
申请人 ：
晶能光电（江西）有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201811636723.5
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/38 H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20181229
申请日 : 20181229
2019-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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