垂直结构的薄膜LED芯片、微型LED阵列及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种垂直结构的薄膜LED芯片，包括：外延发光结构，具有相对的第一主面和第二主面，包括依次堆叠的N型外延层、发光层和P型外延层，外延发光结构具有贯穿至所述N型外延层表面的第一台阶结构；N电极，设置于所述N型外延层的第一台阶结构上，N电极包括主体部和延伸部，并且所述N电极通过所述主体部与所述第一台阶结构的上表面形成电性接触，所述延伸部围绕所述N型外延层的侧壁形成；和P电极，所述P电极设置于所述外延发光结构的第一主面上。本发明还提供一种微型LED阵列。所述薄膜LED芯片可以解决现有芯片结构中四周边缘的电流扩展均匀性较差，提高了芯片的电流扩展均匀性及反射有效面积，从而最大程度地提高了芯片的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
垂直结构的薄膜LED芯片、微型LED阵列及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447176A
申请号 ：
CN202210106765.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝茂盛陈朋袁根如张楠马艳红闫鹏马后永
申请人 ：
上海芯元基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202210106765.8
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/40 H01L33/44 H01L33/46 H01L27/15 H01L33/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
