一种垂直型LED芯片结构及其制作方法
授权
摘要
本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的侧壁出光比例，对于倒装制备结构而言，由于沟槽的侧壁能够对发光层发出的光进行反射，改变发光层发出光的路径，避免由于LED外延半导体材料与空气存在较大的折射率差，使得一定比例的光在半导体材料中形成类似在波导中传播一样的多次全反射，最终被吸收消耗，造成垂直型LED芯片结构的发光效率较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直型LED芯片结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729322A
申请号 ：
CN201911006145.1
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN110729322B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
赵斌陈凯轩曲晓东刘英策李俊贤
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
温可睿
优先权 ：
CN201911006145.1
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L33/10 H01L33/24
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/15
申请日 : 20191022
申请日 : 20191022
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110729322A.PDF
PDF下载
