一种多芯片超薄扇出型封装结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种多芯片超薄扇出型封装结构，属于半导体封装技术领域。其再布线金属线路层（3）的上表面设置上层金属焊盘（31）、下表面设置底层金属焊盘（33），芯片（8）通过金属微凸块（73）与再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）固连，底填胶（83）填充同一封装体的芯片（8）的底部和芯片间隙，所述塑封料（86）于再布线金属层（3）上方塑封芯片（8），并露出芯片（8）的背面；所述加强散热保护层（63）通过导热粘合层（61）设置在芯片（8）的背面。本实用新型实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。

基本信息

专利标题：

一种多芯片超薄扇出型封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022259453.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-12

授权号：

CN212342601U

授权日：

2021-01-12

发明人：

胡正勋梁新夫郭洪岩刘爽夏剑张朝云徐东平

申请人：

长电集成电路（绍兴）有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市越城区临江路500号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

赵华

优先权：

CN202022259453.X

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/498 H01L21/56 H01L23/367