一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法
授权
摘要
本申请涉及一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法，涉及半导体封装技术的领域，其包括以下步骤：于GaN晶圆的焊盘上形成电镀金属柱；将GaN晶圆从具有电镀金属柱的一侧进行切割；将GaN晶圆按照研磨厚度进行研磨；于GaN芯片上形成背胶；将背胶远离GaN芯片的一侧涂覆上粘合胶，并粘接于载体圆片上；形成塑封层，并通过研磨工艺研磨塑封层远离载体圆片的一侧以将电镀金属柱远离GaN芯片的一侧露出；在塑封后的GaN芯片远离载体圆片的一侧依次形成再布线层、PI保护层和UBM层；于UBM层上形成锡球。本申请具有通过先切割后研磨的技术，减少了研磨过程以及后续操作工程中造成晶圆隐裂或直接裂片的可能性，提高了切割的成品率和完整度的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN超薄芯片扇出型封装结构及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361025A
申请号 ：
CN202210274190.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
CN114361025B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
李春阳彭祎刘明明罗立辉方梁洪
申请人 ：
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市宁波杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
吴英杰
优先权 ：
CN202210274190.0
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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