一种扇出形多芯片封装结构
授权
摘要

本实用新型涉及芯片封装领域,具体涉及一种扇出形多芯片封装结构,扇出形多芯片封装结构包括:重布线层;第一芯片;导电柱,其一端与重布线层相连接,另一端与第一芯片相连接;第二芯片,第二芯片设置在第一芯片上且与第一芯片电连接,第二芯片位于重布线层与第一芯片之间,以及,封装层,设置在重布线层上,用于将第一芯片、导电柱以及第二芯片进行塑封。通过设置导电柱,并将第一芯片安装在导电柱上,从而使得第一芯片具有一定的高度,再通过将第二芯片直接设置在第一芯片上,从而实现第一芯片与第二芯片之间的互连,这样设置,在一个封装体内即实现了两个芯片之间的互连,减少了封装体的个数,从而可以减小多芯片封装体的厚度。

基本信息
专利标题 :
一种扇出形多芯片封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921210420.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-29
授权号 :
CN210489610U
授权日 :
2020-05-08
发明人 :
李恒甫曹立强
申请人 :
上海先方半导体有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 :
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 :
李静
优先权 :
CN201921210420.7
主分类号 :
H01L25/065
IPC分类号 :
H01L25/065  H01L21/98  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2020-05-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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