制造有源电桥耦合的GPU小芯片
公开
摘要
公开了各种多裸片布置及其制造方法。在一些实施方案中，制造方法包括面对面工艺，其中将第一GPU小芯片和第二GPU小芯片接合到临时载体晶片。在将GPU小芯片安装到载体衬底之前，将有源电桥小芯片的正面接合到第一和第二GPU小芯片的正面。在其他实施方案中，制造方法包括面对背工艺，其中将有源电桥小芯片的正面接合到第一和第二GPU小芯片的背面。
基本信息
专利标题 ：
制造有源电桥耦合的GPU小芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467166A
申请号 ：
CN202080067204.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斯凯勒·J·萨利赫吴锐进米林德·S·巴格瓦特拉胡尔·阿加瓦尔
申请人 ：
超威半导体公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080067204.0
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/48 H01L21/56 H01L21/683 H01L25/065 H01L25/18 G06F8/41
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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