一种避免短路的芯片间导电桥结构
授权
摘要
本发明公开了一种避免短路的芯片间导电桥结构，可以在桥接区域中的待刻蚀层和层面结构中的至少一层中刻蚀形成开口，开口的下面设置有曲面，所述曲面为至少包含一对相邻两条边为非直角的面，优选地，曲面为含有圆角的面，开口可以使得其中的光刻胶不被甩出，在光刻胶涂覆和显影时，开口可以确保层面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来，进而在以该光刻胶层为掩膜刻蚀待刻蚀层而形成导电桥时，光刻胶可以有效保护层面结构及其顶面上的待刻蚀层，进而达到所需的导电桥形貌和宽度，性能可靠，避免形成的导电桥出现短路或断路，进而提高产品制造良率和测试的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种避免短路的芯片间导电桥结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122576788.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN216403846U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
黄俊凯余玄黄静梅
申请人 ：
深圳市德金元科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区友谊路2号国香尚居3座B单元1203
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122576788.9
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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