一种高密度芯片焊接结构
授权
摘要
本实用新型一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。一体化的金属材料包括金属基材和金属导体。每个金属焊盘的高度相等或者不相等。本实用新型解决了现有的银胶焊料存在树脂材料与芯片热膨胀系数不匹配，导致粘接后芯片容易与焊料分层、银粉不能100％填充，导电和散热不佳等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高密度芯片焊接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921337381.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210325778U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
张博威
申请人 ：
华宇华源电子科技（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山新区田头马鞍岭路55号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
叶新平
优先权 ：
CN201921337381.7
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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