一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构及方法，提高整个封装结构的集成度，实现多层芯片和基板的三维堆叠，同时能够保证更多的芯片功能，提高封装结构的功能性和稳定性。包括第一基板、多个倒装芯片以及包裹在第一基板和多个倒装芯片外的塑封体，倒装芯片均通过软板与第一基板连接，通过软板的弯曲折叠实现第一基板和多个倒装芯片之间的堆叠互联；采用可自由折叠弯曲的软板实现任意位置下多层倒装芯片与第一基板之间的互联，解决了倒装凸点芯片难以实现互相堆叠的困难，提升产品功能的同时节约了工艺成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高密度多层倒装芯片堆叠封装结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530433A
申请号 ：
CN202111595441.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
覃建民
申请人 ：
华天科技（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
安彦彦
优先权 ：
CN202111595441.7
主分类号 ：
H01L23/492
IPC分类号 ：
H01L23/492 H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/492
基片或平板的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/492
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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