非易失性半导体存储装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，可实现OTP存储器单元的小型化和制造工艺、成本的大幅的节约。在OTP存储器的单元晶体管的漏区D内形成成为电容器的下部电极的嵌入层(8)(BN⁺)，在该嵌入层(8)上形成可通过从数据线(DL)施加的规定的电压而绝缘破坏的膜厚薄的电容器绝缘膜(7a、7b)，在该电容器绝缘膜(7a、7b)上、场氧化膜(2)上形成成为电容器的上部电极的导电层(10)。此外，使嵌入层(8)(BN⁺)与高浓度的漏区(13)(N⁺)一部分重叠。

基本信息

专利标题：

非易失性半导体存储装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828774A

申请号：

CN200610009499.8

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小渕雅宏

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邵亚丽

优先权：

CN200610009499.8

主分类号：

G11C17/14

IPC分类号：

G11C17/14 G11C17/04