闪存装置的页面缓冲器电路
专利权的终止
摘要
本发明提供一种闪存装置的页面缓冲器电路，其包括分别连接至预定数目的位线并且也连接至一Y门电路的多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器响应于位线控制信号、位线选择信号和控制信号而同时执行读取操作或编程操作。页面缓冲器电路中所包括的页面缓冲器中的每一个分别选择性地获得对连接至预定数目的位线的存储单元之一的存取。因此，可减少感测节点之间的耦合电容成分，且可缩小总芯片尺寸。
基本信息
专利标题 ：
闪存装置的页面缓冲器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841563A
申请号 ：
CN200610006389.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金德柱
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200610006389.6
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C7/10
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2015-03-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601603522
IPC(主分类) : G11C 16/10
专利号 : ZL2006100063896
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140120
号牌文件序号 : 101601603522
IPC(主分类) : G11C 16/10
专利号 : ZL2006100063896
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140120
2009-05-06 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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