一种NOR闪存的读取电路
授权
摘要
本申请公开了一种NOR闪存的读取电路,包括参考电压生成模块和比较输出模块;参考电压生成模块包括第一电流源、与第一电流源串联的第一电流转电压电路、与第一电流转电压电路的输出端连接的缓冲电路,缓冲电路的输出端作为参考电压生成模块的输出端,用于进行电路缓冲并根据第一电流转电压电路的输出电压生成参考电压;比较输出模块分别与NOR存储阵列和参考电压生成模块的输出端连接,用于获取NOR存储阵列的存储状态电压信号,并将存储状态电压信号与参考电压的比较结果信号作为读取结果信号进行输出。本申请利用设置有缓冲电路的参考电压生成模块输出参考电压,有效地提高了读取速度,并且结构简单,节省了芯片面积。
基本信息
专利标题 :
一种NOR闪存的读取电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111462802A
申请号 :
CN201910059450.0
公开(公告)日 :
2020-07-28
申请日 :
2019-01-22
授权号 :
CN111462802B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
汤小虎
申请人 :
上海汉容微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区达尔文路88号3幢206室
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
罗满
优先权 :
CN201910059450.0
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-05-13 :
授权
2020-09-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/26
申请日 : 20190122
申请日 : 20190122
2020-07-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111462802A.PDF
PDF下载