闪存设备的页缓冲器电路及其控制读操作的方法
专利权的终止
摘要

一种闪存设备的页缓冲器电路包括:分别连接到多个位线对的页缓冲器,用于响应位线控制信号、位线选择信号和控制信号而对存储单元执行读操作或编程操作;和分别连接到多个位线对的位线预充电电路,用于在读操作中,响应位线预充电信号而将与其连接的位线对中的一条位线预充电至基准电压电平。所述基准电压可以是与温度和/或电压的变化无关的稳定电压。不管读操作中温度和/或电压的变化如何,位线预充电电路将稳定预充电电压提供给位线。因此,可以防止读出错误的数据。

基本信息
专利标题 :
闪存设备的页缓冲器电路及其控制读操作的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841560A
申请号 :
CN200510136299.4
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2005-12-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金德柱
申请人 :
海力士半导体有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
吕晓章
优先权 :
CN200510136299.4
主分类号 :
G11C16/06
IPC分类号 :
G11C16/06  G11C16/10  G06F12/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2015-02-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599312384
IPC(主分类) : G11C 16/06
专利号 : ZL2005101362994
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20131227
2009-04-01 :
授权
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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