半导体存储器装置及其操作方法
授权
摘要
提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置可包括：存储器单元，其包括多个存储器块；电压供给电路，其被配置为在存储器单元上的编程操作期间生成多个操作电压并将所生成的操作电压输出到至少两个全局线组；通过电路，其被配置为将存储器块的字线联接到所述至少两个全局线组；以及控制逻辑，其被配置为控制电压供给电路和通过电路，使得在编程操作的编程验证操作期间，编程验证电压被施加到存储器块中的选定存储器块，并且设定电压被施加到未选存储器块当中的与所述选定存储器块共享的共享存储器块。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109256167A
申请号 ：
CN201810186416.5
公开（公告）日 ：
2019-01-22
申请日 ：
2018-03-07
授权号 ：
CN109256167B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
金世训
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN201810186416.5
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/30 G11C16/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-02-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20180307
申请日 : 20180307
2019-01-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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