一种多端口低容电压浪涌保护芯片
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摘要

本实用新型提供了一种多端口低容电压浪涌保护芯片,其具有多端口的保护功能,整体泄流能力和稳定性好,保护响应速度快、应用范围广:其包括至少两个并排且相互反向设置的保护单元,包括:衬底,具有第一导电类型;基区,具有第二导电类型;第一高掺杂扩散区,具有第二导电类型;发射区,具有第一导电类型,发射区与基区之间形成短路结构;环形区,具有第一导电类型,环绕基区设置;高掺杂二次扩散区,具有第二导电类型,位于基区内且位于发射区的一侧;条形区,具有第一导电类型,位于环形区与发射区之间,且与环形区相接;第二高掺杂扩散区,具有第一导电类型,第一高掺杂扩散区与第二高掺杂扩散区互补;电极,设置于衬底上表面上。

基本信息
专利标题 :
一种多端口低容电压浪涌保护芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922332585.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-23
授权号 :
CN210778602U
授权日 :
2020-06-16
发明人 :
杨显精仇利民张守明戴剑吴月挺李洪朋俞鸿骥韩红岩
申请人 :
苏州晶讯科技股份有限公司;北京时代华诺科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2号楼2楼
代理机构 :
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 :
陈松
优先权 :
CN201922332585.8
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L21/8222  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-06-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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