低阻抗过电压保护电路
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
低阻抗过电压保护电路，包括第一MOSFET，其漏极接输入信号，源极接第二MOSFET的漏极，第二MOSFET的源极接输出端。第一和第二MOFET的栅极接相对于输入信号值浮动的电压源，以保持各MOFET的栅极偏置到导通状态。浮动电压源浮动的最大和最小值由箝位二极管和箝位电压源确定。当输入信号超过所要求的正或负最大值时，第一或第二MOFET不再偏置到导通状态，于是相应的MOFET截止，将输入信号通过高阻抗分流，以限制输入电流并从输出端除去输入信号。
基本信息
专利标题 ：
低阻抗过电压保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1063942A
申请号 ：
CN92100702.7
公开（公告）日 ：
1992-08-26
申请日 ：
1992-01-28
授权号 ：
CN1030478C
授权日 ：
1995-12-06
发明人 ：
D·B·卡森
申请人 ：
约翰弗兰克制造公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王忠忠
优先权 ：
CN92100702.7
主分类号 ：
G01R1/36
IPC分类号 ：
G01R1/36
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R1/22
••起电流互感器次级绕组作用的钳式测试器
G01R1/36
电测量仪器的过负载保护装置或电路
法律状态
1997-03-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-12-06 ：
授权
1992-08-26 ：
公开
1992-07-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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