过电压保护电路和电子设备

授权

摘要

本公开的各实施例涉及过电压保护电路和电子设备。提供了过电压保护电路。在一些实施例中，过电压保护电路包括：第一二极管，该第一二极管由具有大于硅的带隙宽度的带隙宽度的第一半导体材料制成。第二二极管被包括，并且第二二极管与第一二极管电交叉耦合。第二二极管由与不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成。根据本公开的实施例的优点在于，提供了更容易集成并且占用更少的空间的过电压保护设备。

基本信息

专利标题：

过电压保护电路和电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020253695.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-04

授权号：

CN211744038U

授权日：

2020-10-23

发明人：

J-M·西莫内S·恩古S·拉斯库纳

申请人：

意法半导体股份有限公司;意法半导体(图尔)公司

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202020253695.5

主分类号：

H02H9/04

IPC分类号：

H02H9/04