一种LED芯片制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种LED芯片制作方法，依次包括：生长AlN薄膜、制作圆形状的Mg金属薄膜层、生长MgN层、生长掺杂Si的n型GaN层、有源层MQW、P型AlGaN层和P型GaN层；退火处理。本发明通过引入圆形状的Mg金属薄膜层和MgN层来提升载流子的辐射复合效率，从而使LED的发光效率得到提升，并降低工作电压，提高抗静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种LED芯片制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420813A
申请号 ：
CN202210089138.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐平许孔祥周孝维杨云峰
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202210089138.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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