微显示芯片阵列的制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种微显示芯片阵列的制作方法，包括：第1步、在衬底上形成缓冲层，在该缓冲层上依次沉积第一刻蚀层、第二刻蚀层；第2步、采用干法刻蚀工艺，利用掩膜在所述的第二刻蚀层上形成若干个图形化的窗口；第3步、采用湿法刻蚀工艺，去除暴露在所述的窗口处的第一刻蚀层材料，使窗口中的缓冲层暴露；第4步、在窗口中选择性外延，依次生长n‑GaN、MWQ和P‑GaN层，形成LED像素单元，完成MESA工艺。本申请采用先刻蚀成型，再生长外延制作MESA结构的方法，可以避免在LED像素单元内部产生电荷积聚，避免侧壁晶格破坏，从而避免降低器件的EQE。
基本信息
专利标题 ：
微显示芯片阵列的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373835A
申请号 ：
CN202111600644.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岳大川
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
田媛
优先权 ：
CN202111600644.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 H01L33/22
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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