转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置
授权
摘要
本发明涉及一种转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置。该转移结构包括载板主体；容置槽，开设在所述载板主体的一侧；尖刺部，设置于所述容置槽的内部；以及隔离层，将解粘剂封于容置槽内的隔离层。在进行芯片转移时，芯片粘附于隔离层上，向载板主体的方向活动的过程中，尖刺部戳破隔离层，并使解粘剂通过隔离层被戳破的破口与芯片的粘接材料接触以实现解粘。通过降低芯片与转移结构之间的粘接力，使得芯片更容易被拾取，从而在一些实施过程中达到提高芯片转移成功率的效果。
基本信息
专利标题 ：
转移结构及其制作方法、芯片转移方法、显示面板及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112967985A
申请号 ：
CN202011040663.8
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN112967985B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李强向毅
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202011040663.8
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L33/48 H01L25/075
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20200928
申请日 : 20200928
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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