一种芯片及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上依次形成外延层和功能器件。本申请利用低纯单晶硅片作为牺牲层，得以减小整个高纯单晶硅片的厚度，极大地降低了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361028A
申请号 ：
CN202110290554.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史仁先王国峰
申请人 ：
青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号
代理机构 ：
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
邢涛
优先权 ：
CN202110290554.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/50 H01L29/06 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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