用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构，包括：第一沟槽结构，包括：第一沟槽，至少位于第一沟槽中隔离的第一屏蔽栅和第一测试栅；第一测试栅位于第一屏蔽栅的顶部两侧；第二沟槽结构，包括：第二沟槽，位于第二沟槽中的第二屏蔽栅和彼此隔离的至少位于第二沟槽中的第二测试栅；第二测试栅位于第二屏蔽栅上方；第一测试端与第一测试栅电接触；第二测试端与第二测试栅电接触，第一测试栅和第二测试栅中，其一为屏蔽栅型MOSFET中沟道栅的模拟结构，另一为屏蔽栅型MOSFET中源区表面的多晶硅层的模拟结构。通过监测第一测试端和第二测试端之间是否导通，对屏蔽栅型MOSFET中是否存在多晶硅残留进行监控，进而提升了屏蔽栅型MOSFET的可靠性和生产效率。
基本信息
专利标题 ：
用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220324903.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
CN216719942U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
朱林迪万珊珊张小麟罗胡瑞王振达李雨衡
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202220324903.5
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L29/78 G01R31/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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