一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种屏蔽栅‑沟槽型MOSFET的结构及其制造方法。本发明中的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET采用阶梯栅极氧化物构成栅介质层，所述阶梯栅极介质层为n阶氧化物，从沟槽下方到沟槽上方的氧化物厚度分别为D1，D2，……，Dn，其中，D1>D2>……>Dn。本发明中公开的采用阶梯栅极氧化物作为栅介质层的屏蔽栅‑沟槽型MOSFET结构，可以有效地实现栅极和漏极之间的隔离，减小栅漏电容Cgd，还能使得该MOSFET具有较低的比导通电阻且保持高的击穿电压，提高MOSFET的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736138A
申请号 ：
CN202110355178.8
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2021-04-01
授权号 ：
CN112736138B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
杨国江于世珩张胜凯白宗纬
申请人 ：
江苏长晶科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
代理机构 ：
南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘小吉
优先权 ：
CN202110355178.8
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-03-15 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 29/423
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏长晶科技有限公司
变更后 : 江苏长晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
变更后 : 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏长晶科技有限公司
变更后 : 江苏长晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
变更后 : 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20210401
申请日 : 20210401
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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