一种高能效屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法

授权

摘要

本发明涉及电子产品设计技术领域，具体涉及一种高能效屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法，其技术要点在于：所述高能效屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法：S1：选用N型衬底，并在衬底表面淀积刻蚀掩蔽层，再在刻蚀掩蔽层通过刻蚀形成深槽结构；S2：在沟槽底部注入Phosphor；S3：在沟槽内形成栅氧化层，并淀积Poly1，利用Poly1标记光刻、刻蚀形成需要的区域；S4：在衬底表面淀积氧化硅，并对平坦衬底表面；S5：在衬底表面通过刻蚀形成cell区；S6：在cell区表面淀积Poly2，Poly2回刻至硅表面；S7：在深槽形成P+区域；S8：在衬底表面形成N+区域。通过多次次不同注入能量和注入剂量的匹配形成第二层线性变掺杂浓度的外延层，以得到在高频下具有低导通电阻RDSON、大电流密度和高UIS能力的MOSFET。

基本信息

专利标题：

一种高能效屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112185816A

申请号：

CN202010815193.1

公开（公告）日：

2021-01-05

申请日：

2020-08-14

授权号：

CN112185816B

授权日：

2022-04-08

发明人：

黄传伟夏华秋诸建周

申请人：

江苏东海半导体科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

叶栋

优先权：

CN202010815193.1

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2022-04-08 ：

授权

2022-03-11 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/336
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号

2021-01-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20200814

2021-01-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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