半导体器件
授权
摘要
公开了半导体器件，其包括：衬底；翘曲的半导体管芯，具有彼此相对的第一和第二表面，第一表面凹入，第二表面凸出。翘曲的半导体管芯利用管芯附接材料附接到衬底的区域上。管芯附接材料包括：位于区域上的第一质量块管芯附接材料；位于第一质量块管芯附接材料上的第二质量块管芯附接材料；第二质量块管芯附接材料相对第一质量块管芯附接材料提供凸起结构的管芯附接材料。若翘曲的半导体以第一表面面向衬底的方式附接，则第二质量块管芯附接材料相对第一质量块管芯附接材料定位在中央；若翘曲的半导体以第二表面面向衬底的方式附接，则第二质量块管芯附接材料相对第一质量块管芯附接材料定位在外围。本公开的方案有效防止了不希望的空气滞留。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122029927.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-26
授权号 ：
CN216288315U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
A·艾伯蒂内蒂M·C·卡古德
申请人 ：
意法半导体股份有限公司;意法半导体私人公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202122029927.6
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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