实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片
授权
摘要
本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111987003A
申请号 ：
CN202010872395.X
公开（公告）日 ：
2020-11-24
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN111987003B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
廖龙忠周国赵红刚樊帆李波崔玉兴
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
秦敏华
优先权 ：
CN202010872395.X
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/552
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-12-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2020-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111987003A.PDF
PDF下载
