一种碳化硅基半导体器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与碳化硅沟槽底部的碳化硅形成肖特基接触；在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触；在反向时，可以有效的屏蔽电场，提高器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅基半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361029A
申请号 ：
CN202210245817.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何佳张长沙
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202210245817.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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