一种碳化硅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET器件，包括碳化硅基底、SiO2薄膜层、栅电极、层间介质层及源极金属。碳化硅基底包括P阱、PPlus区域及两个NPlus区域，PPlus区域及两个NPlus区域形成于P阱内，且两个NPlus区域分别位于PPlus区域两端的正上方，两个NPlus区域之间沿其上表面方向开设有第一沟槽。SiO2薄膜层及栅电极覆盖于碳化硅基底的上表面除第一沟槽的位置，以在第一沟槽的正上方形成第二沟槽。栅电极覆盖于SiO2薄膜层的上表面。层间介质层覆盖于SiO2薄膜层与栅电极靠近第二沟槽的侧面以及栅电极的上表面。源极金属覆盖于第一沟槽、第二沟槽的表面及层间介质层的上表面。如此，可减少制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021001168.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN212517214U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
郝建勇孙军张振中和巍巍
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021001168.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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