一种碳化硅MPS器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间；表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设第二欧姆接触金属层。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MPS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021269885.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212725323U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
彭志高林志东陶永洪
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN202021269885.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/16 H01L29/06
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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