一种碳化硅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET器件，包括：自下而上依次层叠设置的漏极、衬底和外延区；P型阱区，设置在外延区中，P型阱区的上表面高于外延区的上表面；N源区，设置在外延区中且与P型阱区相邻设置，N源区的上表面高于外延区的上表面；N+注入区和P+注入区，相邻设置在P型阱区中；栅极绝缘层，设置在外延区上且至少部分覆盖N+注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。本实用新型的碳化硅MOSFET器件，没有双极性退化效应，在高温、高频等应用工况下更有优势。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022516379.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN214176042U
授权日 ：
2021-09-10
发明人 ：
杨进姚强
申请人 ：
西安精匠华鹤电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区锦业路69号创业研发园瞪羚谷裙楼70102号房109室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高晓倩
优先权 ：
CN202022516379.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2021-09-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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