碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法
公开
摘要
碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度Hey；根据公式计算刻蚀选择比。本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测更加精确，从而使碳化硅上的介质层相对于掩膜层的选择比刻蚀工艺调试结果更加具有可信度。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300374A
申请号 ：
CN202111630451.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况钟浩任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111630451.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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