半导体器件的制作方法、刻蚀控制方法、系统及存储介质
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制作方法、刻蚀控制方法、系统及存储介质，半导体器件包括衬底以及位于衬底上的半导体结构，半导体器件的制作方法包括：对半导体器件进行第一刻蚀，以在半导体器件上形成第一开口；获取形成第一开口过程中第一刻蚀的参数变化并形成数据记录；根据数据记录与预设数据记录，确定第二刻蚀的刻蚀工艺参数；根据第二刻蚀的刻蚀工艺参数，依据第一开口对半导体器件进行第二刻蚀，在半导体器件中形成包括第一开口的第二开口。通过根据数据记录与预设数据记录，确定第二刻蚀的刻蚀工艺参数，从而保证形成的第二开口的工艺尺寸稳定，进而提升器件的良率和制程能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法、刻蚀控制方法、系统及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284167A
申请号 ：
CN202111636808.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘隆冬肖梦吴建中长江
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202111636808.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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