复合介质层的刻蚀方法以及复合介质层
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摘要
本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。包括：向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括碳氟类气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述碳氟类气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中，所述碳氟类气体满足CHxFy，x和y均为大于等于1的正整数，且x+y＝4；将所述刻蚀气体电离以形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体，在预设的刻蚀参数下，对所述复合介质层进行一次刻蚀工艺，以选择性地完全或者部分刻蚀各所述介质子层，以获得预定的刻蚀图形。可以通过调控碳氟类气体、抑制类气体所占的流量或者比例，可以仅执行一次刻蚀工艺对复合介质层进行完全刻蚀或者精准减薄。
基本信息
专利标题 ：
复合介质层的刻蚀方法以及复合介质层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534402A
申请号 ：
CN201810507777.5
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2018-05-24
授权号 ：
CN110534402B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
刘珂陈国动朱海云
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810507777.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20180524
申请日 : 20180524
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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