自间隙型硅片的处理工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种自间隙型硅片的处理工艺，包括以下步骤：S100将自间隙型硅片升温至第一预设温度T1后保温，所述第一预设温度T1为700℃‑800℃，所述保温时间为5s‑25s；S200将步骤S100得到的硅片升温至第二预设温度T2后保温，所述第二预设温度T2为1300℃‑1350℃，所述保温时间为10s‑60s；S300将步骤S200得到的硅片以预设降温速率V降至室温，所述预设降温速率V为50℃/s‑100℃/s；所述步骤S100‑S300在惰性气体氛围下进行。本发明能够实现自间隙型硅片形成高密度BMD及深DZ，使自间隙型硅片具备内吸杂能力。
基本信息
专利标题 ：
自间隙型硅片的处理工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464702A
申请号 ：
CN202210105423.4
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王振李青海许武警
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210105423.4
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/223
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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