一种硅片背部缺陷测试仪
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片背部缺陷测试仪，前端面设置有前盖，所述前盖的后方设置有晶片暂停器和晶背反转器，所述前盖的后方设置有矩形仓，所述前盖的右侧是屏幕，所述晶片暂停器的真空吸盘由轴套连接，由旋转马达驱动。实现晶背在客户需要的角度内停留，观察检测更便捷，拍照更清晰；实现晶片与所述晶背反转器精准对位，防止意外掉片等意外发生。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片背部缺陷测试仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122245035.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
CN216487959U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
乔晓丹王建安徐兆存
申请人 ：
上海摩瑆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区中辰路299号1幢625室
代理机构 ：
上海领洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄宇
优先权 ：
CN202122245035.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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