一种半导体芯片内部缺陷测试仪
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体芯片内部缺陷测试仪，包括红外缺陷测量仪，其特征在于：所述红外缺陷测量仪的前端面设置有前盖(16)，所述前盖(16)的下方设置有测量台面(3)，所述测量台面(3)的两侧面均固定安装有两个条形滑槽，所述条形滑槽的内部卡有滑杆，所述滑杆的前端面设置有棱镜机头(5)，所述棱镜机头(5)的后端面设置有光路分析调整模块(20)，所述光路分析调整模块(20)的一端固定安装有固定板，所述固定板的上端面设置有压杆，所述压杆的一端固定安装有拨杆，所述棱镜机头(5)的侧面设置有两个矩形孔。本实用新型使棱镜机头固定的更加稳定；且便于将棱镜机头从滑杆上取下。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体芯片内部缺陷测试仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122245818.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
CN216484570U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
徐兆存王建安洪哲
申请人 ：
上海摩瑆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区中辰路299号1幢625室
代理机构 ：
上海领洋专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄宇
优先权 ：
CN202122245818.8
主分类号 ：
G01N21/01
IPC分类号 ：
G01N21/01 G01N21/95
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/01
便于进行光学测试的装置或仪器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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