一种硅片缺陷的检测装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及硅片检测技术领域,且公开了一种硅片缺陷的检测装置,包括外壳,所述外壳的内部固定安装有伺服电机,所述伺服电机的输出轴固定安装有传动辊,所述外壳的内部活动安装有位于传动辊上方的中心导辊,所述外壳的左右两侧均固定安装有数量为两个的固定板,所述外壳的内部和左侧两个所述固定板之间均活动安装有位于伺服电机左侧的第一导轮,所述外壳的内部和右侧两个所述固定板之间均活动安装有位于伺服电机右侧的第二导轮,所述第一导轮、中心导辊和传动辊通过第一皮带传动连接,所述第二导轮、中心导辊和传动辊通过第二皮带传动连接。该硅片缺陷的检测装置,可对硅片进行全方面的检查,检查效果更好,更便于使用者使用。

基本信息
专利标题 :
一种硅片缺陷的检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021086555.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-13
授权号 :
CN212230395U
授权日 :
2020-12-25
发明人 :
江水德
申请人 :
衢州三盛电子有限公司
申请人地址 :
浙江省衢州市开化县华埠镇银辉路9号
代理机构 :
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张铁兰
优先权 :
CN202021086555.X
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  H01L21/677  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200613
授权公告日 : 20201225
终止日期 : 20210613
2020-12-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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