半导体器件的缺陷检测方法、装置及电子设备
授权
摘要
本发明提供了一种半导体器件的缺陷检测方法、装置及电子设备,应用于半导体领域。由于本发明实施例中提供的缺陷检测方法将两个光源之间的距离设置为预设固定距离,之后再按所述预设固定距离为移动步长移动所述载物台,从而实现无论所述载物台的移动误差多大,两个间距不变的光源照射在两个待检测芯片上的检测光束永远在该两个待检测芯片的相同位置处,即,两个光源得到的微观图形总是一样的,得到的反射信号也会一样,因此,同步对比这两个光源的得到的信号差异就可以用来确认待检测芯片是否存在表面缺陷。
基本信息
专利标题 :
半导体器件的缺陷检测方法、装置及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114113142A
申请号 :
CN202210076635.4
公开(公告)日 :
2022-03-01
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
CN114113142B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
陈昌言
申请人 :
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
冯启正
优先权 :
CN202210076635.4
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95 G01N21/88
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2022-06-03 :
授权
2022-03-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/95
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-03-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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